簡(jiǎn)要描述:本次電磁兼容實(shí)驗(yàn)室建設(shè)項(xiàng)目是針對(duì)電子產(chǎn)品的電磁兼容測(cè)試要求而建設(shè)的,包括一個(gè)緊湊型緊湊型3m法半電波暗室,一個(gè)控制室及功放室。電波暗室建設(shè)完成以后,可達(dá)到摸底實(shí)驗(yàn)室的要求,滿(mǎn)足研發(fā)、摸底的要求。本項(xiàng)目為交鑰匙工程項(xiàng)目,供應(yīng)方負(fù)責(zé)全部工程項(xiàng)目的設(shè)計(jì)、制造、安裝、調(diào)試,保證達(dá)到各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)性能和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。
產(chǎn)品分類(lèi)
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品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子,電氣,綜合 |
電磁屏蔽室用于隔離室內(nèi)和室外的電磁環(huán)境,既可防止外部電磁干擾進(jìn)入室內(nèi),影響被試設(shè)備的測(cè)試,是EMC傳導(dǎo)騷擾和傳導(dǎo)抗擾度等測(cè)試的理想場(chǎng)地。電磁屏蔽室示意圖按照客戶(hù)需求,并依據(jù)相關(guān)法規(guī),采用使用方特征的暗室吸波材料布局,墻體和天花板均鋪設(shè)鐵氧體,整體設(shè)計(jì)保證暗室性能及美觀性。
3.1.1. 暗室規(guī)格尺寸
序號(hào) 名稱(chēng) 規(guī)格(外尺寸) 數(shù)量/套
1 緊湊型3m法半電波暗室 7.0m*4.0m*3.0m( L×W×H) 1
2 控制室 4.0m*3.0m*3.0m( L×W×H) 1
3.2. 性能指標(biāo)
3.2.1. 屏蔽效能:
暗室的屏蔽體、濾波器、波導(dǎo)窗等組件安裝完畢后,按照標(biāo)準(zhǔn)EN50147,GB/T12190-最新
緊湊型3m法半電波暗室標(biāo)準(zhǔn)的要求進(jìn)行測(cè)試在9kHz~18GHz頻率范圍內(nèi),暗室和所有屏蔽室的屏蔽效能達(dá)到下列指標(biāo):
頻率 衰減量 場(chǎng)源
10kHz ≥70 dB 磁場(chǎng)
14kHz ≥ 90 dB 磁場(chǎng)
100kHz ≥ 90 dB 磁場(chǎng)
1MHz ≥100 dB 磁場(chǎng)
15MHz ≥100 dB 磁場(chǎng)
100MHz ≥110 dB 平面波
450MHz ≥110 dB 平面波
950MHz ≥110 dB 平面波
3GHz ≥100 dB 微波
6GHz ≥100 dB 微波
10GHz ≥100 dB 微波
18GHz ≥90 dB 微波7
3.2.2. 接地阻抗
整個(gè)暗室屏蔽殼體單點(diǎn)接地,使用接地電阻測(cè)試儀測(cè)試金屬壁的接地電阻應(yīng)小于
2Ω,
3.2.3. 絕緣電阻
電源進(jìn)線(xiàn)對(duì)金屬壁的絕緣電阻及導(dǎo)線(xiàn)與導(dǎo)線(xiàn)之間的絕緣電阻應(yīng)大于10MΩ。
3.2.4. 背景噪聲
30M-1GHz 暗室的背景噪聲應(yīng)在最新版的 CISPR22 Claas B 規(guī)定的限值以下至少 20dB。
進(jìn)行該項(xiàng)測(cè)試時(shí),暗室內(nèi)沒(méi)有 EUT,但是轉(zhuǎn)臺(tái)連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)、天線(xiàn)塔上下升降、照明全部打開(kāi)
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